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图尔克光电传感器结构分类BSO1L1.4M-Q60-ANP6X5-H1151

更新时间:2026-03-25   浏览数:44

所属行业:仪器仪表> 控制仪表> 传感器

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  图尔克光电传感器结构分类BSO1L1.4M-Q60-ANP6X5-H1151

  性能

  M12 x 1 5针 接插件可 90 °旋转

  防护等级IP67

  5段LED灯显示

  工作电压:10…30 VDC

图尔克光电传感器结构分类BSO1L1.4M-Q60-ANP6X5-H1151

  双极性开关量输出

  亮/暗态

  信号指示

  键盘锁

  开关延迟,可调8…16ms

  技术参数

  工作电压 发射器(高能型): 10-30V dc (10%zui 大纹波)zui 小70mA

  接收器(高能型): 10-30V dc (10%zui 大纹波)zui 小22mA空载

  可调区域式:10到30V直流(10%zui 大纹波);电流消耗:10V时小于80毫安,30伏时小于40毫安

  其它型号:10到30V 直流(10%zui 大纹波)40毫安,空载

  供电保护电路 反极性保护过压保护和瞬时过电压保护

  上电延时 偏振反射板和激光直反式:1szui 大,在此期间输出不动作

  可调区域式:250ms,在此期间输出不动作

  其它型号:100ms在此期间输出不动作(对射高能型除外)

  输出响应时间 对射式: 5 ms ON/OFF

  对射高能型: 30 ms ON/OFF

  可调区域:5毫秒 ON/OFF

  其他型号:2毫秒 ON/OFF

  重复精度 对射式: 不适用

  对射高能型: 5 ms

  可调区域:700微秒

  其他型号:500微秒

  输出形式 双极性门1个PNP和1个NPN常开晶体管输出LO/DO可选或者可配置(取决于型号)

  额定输出 对射高能型: 100 mAzui 大

  截止状态漏电流: 小于200 μ A@30V do

  导通状态电压降: 小于1.5V@ 100 mA,小于900 mv@10 mA

  可调区域式:150 mAzui 大(增加1 mA/0 C 250 C以上)

  截止状态漏电流:小于50μ A @30V do

  导通状态电压降:NPN:小于200 mV@10 mA;小于1V@150 mA

  PNP:小于1.25 V@10 mA;小于2V@150 mA

  其它型号:100 mAzui 大.25°C状态下

  截止状态漏电流:NPN:小于200 μ A@30V do PNP:小于10μA

  导通状态电压降:NPN:小于1.6V@100 mA PNP:小干2.0V@100 mA

  输出保护 输出短路保护持续过载保护瞬时过电压保护和上电误脉冲保护

  图尔克光电传感器结构分类BSO1L1.4M-Q60-ANP6X5-H1151

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