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更新时间：2023-07-26 浏览数：8
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劳易测LEUZE光电传感器PRK3C.T3/6T-M8要点说明
光电效应：
光生伏打效应是指光线作用能使半导体材料产生一定方向电）和侧向光电效应。势垒效应的机理是在金属和半导体的接向 N区外侧，空穴移向 P区外侧，形成光生电动势。侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时，受光激发而产触区(或在PN结)中，电子受光子的激发脱离势垒（或禁带）的束缚而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下电子移生的电子空穴对的浓度也不均匀，电子向未被照射部分扩散动势的现象。光生伏打效应又可分为势垒效应（结光电效应，引起光照部分带正电、未被光照部分带负电的一种现象。
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