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E+H压力开关PTP31B-AA4M1PGBWBJ设计构造

更新时间:2025-01-22   浏览数:16

所属行业:电子> 开关(电子元器件)> 压力开关

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单 价:面议

  E+H压力开关PTP31B-AA4M1PGBWBJ设计构造

E+H压力开关PTP31B-AA4M1PGBWBJ设计构造

  产品简介:

  德国恩德斯豪斯E+H压力开关PTP31B-AA4M1PGBWBJ

  绝压和表压测量开关

  Ceraphant PTP31B

  经济型压力开关采用焊接型金属膜片传感器,

  可以在气体、蒸汽或液体中测量。

  测量原理

  压力开关

  特点

  智能压力开关,采用压阻硅传感器,

  高长期稳定性,强抗过载能力

  供电电压

  10...30 VDC

  参考测量精度

  0.5%;

  铂:0.3%

  长期稳定性

  0.2 % URL /年

  过程温度

  -40...+100 °C

  (-40...+212 °F)

  环境温度

  -20...+70°C

  (-4...+158°F)

  传感器

  +400....+400 bar

  (+6...+6000 psi)

  大过压限定值

  600 bar (9000 psi)

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